La célula de memoria es el bloque de construcción fundamental de la memoria del ordenador. La célula de memoria es un circuito electrónico que almacena un bit de información binaria y debe ser configurada para almacenar un 1 lógico (nivel de tensión alto) y reiniciada para almacenar un 0 lógico (nivel de tensión bajo). Su valor se mantiene/almacena hasta que es modificado por el proceso de set/reset. Se puede acceder al valor de la celda de memoria leyéndola.
A lo largo de la historia de la informática se han utilizado muchas arquitecturas de celdas de memoria diferentes, incluyendo la memoria de núcleo y la memoria de burbuja, pero las más utilizadas son los flip-flops y los condensadores.
La SRAM, celda de memoria ram estática, es un tipo de circuito flip-flop, normalmente implementado utilizando FETs. Estos requieren muy poca energía para mantener el valor almacenado cuando no se accede a él.
Un segundo tipo, la DRAM se basa en un condensador. Cargando y descargando este condensador se puede almacenar un ‘1’ o un ‘0’ en la celda. Sin embargo, la carga de este condensador se va perdiendo poco a poco, por lo que debe refrescarse periódicamente. Debido a este proceso de refresco, la DRAM consume más energía, pero puede alcanzar mayores densidades de almacenamiento.
La célula de memoria es el bloque de construcción fundamental de la memoria. Puede implementarse utilizando diferentes tecnologías, como dispositivos bipolares, MOS y otros semiconductores. También puede construirse a partir de material magnético, como núcleos de ferrita o burbujas magnéticas[1] Independientemente de la tecnología de implementación utilizada, el propósito de la célula de memoria binaria es siempre el mismo. Almacena un bit de información binaria al que se puede acceder mediante la lectura de la celda y que debe ser configurada para almacenar un 1 y reiniciada para almacenar un 0